Deep-potential enabled multiscale simulation of gallium nitride devices on boron arsenide cooling substrates

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标题	Deep-potential enabled multiscale simulation of gallium nitride devices on boron arsenide cooling substrates 砷化硼冷却衬底上氮化镓器件的深势多尺度模拟相关领域材料科学热导率砷化镓氮化硼氮化镓光电子学宽禁带半导体界面热阻散热片半导体异质结带隙声子热阻纳米技术传热凝聚态物理热力学物理复合材料图层（电子）
网址	https://www.nature.com/articles/s41467-024-46806-7.pdf
DOI	10.1038/s41467-024-46806-7 doi
其它	期刊：Nature Communications 作者：Jing Wu; E Zhou; Huang An; Hongbin Zhang; Ming Hu; et al 出版日期：2024-03-25
求助人	ytx 在 2025-02-28 03:23:53 发布自中国，悬赏 10 积分
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