| 标题 |
 Understanding the contributions of F–, HF, and HF2– to the etching of SiO2 and unveiling the reaction kinetics to represent etching behavior of SiO2 up to pH 5 了解F-、HF和HF2-对SiO2蚀刻的贡献，并揭示反应动力学以代表pH 5以下SiO2的蚀刻行为
相关领域
蚀刻（微加工）
氢氟酸
反应离子刻蚀
氟化氢
干法蚀刻
化学
动力学
材料科学
硅
无机化学
分析化学（期刊）
化学工程
纳米技术
有机化学
图层（电子）
工程类
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Applied Surface Science 作者：Bumsik Kim; Wonje Lee; Sangwoo Lim 出版日期：2024-03-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
彭于彦祖
oceanao
吃不饱星球球长
爱静静
tianzml0
iNk
Henry
HEIKU
iWatchTheMoon
几酌
寻道图强
子车茗
shinysparrow
互助遵法尚德
hujin
Jun
嗯哼
夏远航
苏卿
哎嘿
皖公网安备34019202002308
