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 Low-pressure CVD grown Si-doped β-Ga2O3 films with promising electron mobilities and high growth rates 低压CVD生长具有良好电子迁移率和高生长速率的Si掺杂β-Ga2O3薄膜
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Saleh Ahmed Khan; Ahmed Ibreljic; Stephen Margiotta; A F M Anhar Uddin Bhuiyan 出版日期：2025-01-02 |
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