| 标题 |
 First Demonstration of Stacked 2T0C-DRAM Bit-Cell Constructed by Two-Layers of Vertical Channel-All-Around IGZO FETs Realizing 4F2 Area Cost 实现4F2面积成本的两层全沟道IGZO场效应晶体管堆叠式2T0C-DRAM位元首次演示
相关领域
德拉姆
制作
堆栈（抽象数据类型）
材料科学
光电子学
频道（广播）
可靠性（半导体）
电气工程
计算机科学
物理
工程类
医学
功率（物理）
替代医学
病理
量子力学
程序设计语言
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2023 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Chuanke Chen; Jinjuan Xiang; Xinlv Duan; Congyan Lu; Jiebin Niu; et al 出版日期：2024-02-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
张益萌
杳鸢
丰知然
yar
个性的紫菜
彭于彦祖
劲秉
方赫然
cocolu
我不爱池鱼
模糊中正
pluto
良辰
mhl11
wqqwd
子车茗
手机
萧水白
tuanheqi
shinysparrow
皖公网安备34019202002308
