A study of 28NM LDMOS linear drain current degradation induced by hot carrier injection

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标题	A study of 28NM LDMOS linear drain current degradation induced by hot carrier injection 热载流子注入引起的28NM LDMOS线性漏极电流退化研究相关领域 LDMOS 浅沟隔离材料科学热载流子注入降级（电信）撞击电离高压击穿电压晶体管电气工程光电子学电压沟槽电子工程计算机科学工程类电离图层（电子）纳米技术化学离子有机化学
网址	https://doi.org/10.1109/cstic.2018.8369171
DOI	10.1109/cstic.2018.8369171 doi
其它	期刊：2022 China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC) 作者：Guiying Ma; Hao Sun; Ling Tang; Yongsheng Yang; Xuejie Shi; et al 出版日期：2018-03-01
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