High performance Sub-10nm Si-doped MoS2 based step structure DG-TFET

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标题	High performance Sub-10nm Si-doped MoS2 based step structure DG-TFET 高性能亚10nm Si掺杂MoS2基阶梯结构DG-TFET 相关领域材料科学二硫化钼光电子学兴奋剂阈值电压晶体管纳米材料纳米技术电压电气工程复合材料工程类
网址	http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2023.115888
DOI	10.1016/j.physe.2023.115888 doi
求助人	心云在 2024-12-24 13:29:54 发布自上海，悬赏 10 积分
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