Advanced 2T0C DRAM Technologies for Processing-in-Memory—Part I: Vertical Transistor on Gate (VTG) DRAM Cell Structure

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标题	Advanced 2T0C DRAM Technologies for Processing-in-Memory—Part I: Vertical Transistor on Gate (VTG) DRAM Cell Structure 用于存储器中处理的先进2T0C DRAM技术-第一部分：栅极上垂直晶体管(VTG)DRAM单元结构相关领域德拉姆动态随机存取存储器晶体管电子工程随机存取存储器光电子学材料科学计算机科学电气工程工程类计算机硬件半导体存储器电压
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3447612
DOI	10.1109/ted.2024.3447612 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：S. Kong; Wonbo Shim 出版日期：2024-01-01
求助人	Stephendo 在 2024-10-31 10:55:36 发布自北京，悬赏 10 积分
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