Improved gate reliability of normally off p-GaN gate HEMTs with in situ SiN cap-layer

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标题	Improved gate reliability of normally off p-GaN gate HEMTs with in situ SiN cap-layer 原位SiN覆盖层提高常闭p-GaN栅极HEMT的栅极可靠性相关领域原位可靠性（半导体）图层（电子）光电子学材料科学宽禁带半导体纳米技术化学物理功率（物理）有机化学量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0237694
DOI	10.1063/5.0237694 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：G X Zhang; Shenglei Zhao; Xiufeng Song; Longyang Yu; Xuejing Sun; et al 出版日期：2024-11-04
求助人	火锅好吃在 2024-11-27 18:00:01 发布自俄罗斯，悬赏 10 积分
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