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 Impact of roughness of TiN bottom electrode on the forming voltage of HfO2 based resistive memories TiN底电极粗糙度对HfO2基电阻存储器形成电压的影响
相关领域
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材料科学
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：Christelle Charpin‐Nicolle; M. Bonvalot; Romain Sommer; Jean‐Paul Barnes; M. Cordeau; et al 出版日期：2019-11-27 |
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