Reliability of enhancement-mode p-GaN gate GaN HEMT with multiple field plates

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标题	Reliability of enhancement-mode p-GaN gate GaN HEMT with multiple field plates 多场板增强模式p-GaN栅GaN HEMT的可靠性相关领域电场高电子迁移率晶体管材料科学可靠性（半导体）光电子学 GSM演进的增强数据速率电压阈值电压击穿电压氮化镓压力（语言学）电气工程图层（电子）晶体管纳米技术功率（物理）工程类物理电信哲学量子力学语言学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad160d
DOI	10.1088/1361-6641/ad160d doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yingqiang Wei; Jinghe Wei; Wei Zhao; Shaoen Wu; Yidan Wei; et al 出版日期：2023-12-27
求助人	yyru 在 2024-08-21 22:00:20 发布自江苏，悬赏 10 积分
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