标题 |
书籍(章节) Point Defects in Silicon Carbide
碳化硅中的点缺陷
相关领域
碳化硅
空位缺陷
硅
材料科学
晶体缺陷
杂质
凝聚态物理
掺杂剂
接受者
化学物理
结晶学
化学
兴奋剂
光电子学
物理
冶金
有机化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Semiconductors and Semimetals 作者:Naoya Iwamoto; Bengt Svensson 出版日期:2015-01-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|