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标题
III-V and 2D Devices: From MOSFETs to Steep-Slope Transistors
III-V和2D器件：从MOSFET到陡坡晶体管
相关领域
阈下斜率 MOSFET 晶体管 材料科学 光电子学 电气工程 工程类 电压
网址
https://docs.lib.purdue.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=2117...
AI链接 purdue.edu
DOI
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其它 期刊：
作者：Mengwei Si
出版日期：2018-01-01
求助人
pooppoap 在 2025-03-05 22:12:10 发布自湖南，悬赏 10 积分
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