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 Atomic Layer Deposition- and Chemical Vapor Deposition-TiN Top Electrode Optimization for the Reliability of Ta2O5 and Al2O3 Metal Insulator Silicon Capacitor for 0.13 µm Technology and Beyond 用于0.13µm及以上技术的Ta2O5和Al2O3金属绝缘体硅电容器可靠性的原子层沉积-和化学气相沉积-TiN顶部电极优化
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hyun Seok Lim; Sang Bom Kang; In Sang Jeon; Gil Heyun Choi; Young Wook Park; et al 出版日期：2001-04-01 |
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