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  Bias Temperature Instability of MOSFETs: Physical Processes, Models, and Prediction MOSFET的偏置温度不稳定性：物理过程、模型和预测
相关领域
负偏压温度不稳定性
可靠性（半导体）
CMOS芯片
电子工程
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MOSFET
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集成电路
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机械
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期刊：Electronics 作者：J. F. Zhang; Rui Gao; Meng Duan; Zhigang Ji; Weidong Zhang; et al 出版日期：2022-04-28 |
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