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标题
Recessed p-GaN Gate MIS-HEMT with AlN Interlayer and Buried p-GaN Layer
具有AlN夹层和掩埋p-GaN层的凹进p-GaN栅极MIS-HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管 图层（电子） 光电子学 材料科学 晶体管 纳米技术 电气工程 工程类 电压
网址
https://doi.org/10.1134/s1063782624601584
DOI
10.1134/s1063782624601584 doi
其它 期刊：Semiconductors
作者：P. S. Sreelekshmi; Jobymol Jacob
出版日期：2025-03-01
求助人
LY 在 2025-03-31 22:06:18 发布自福建，悬赏 10 积分
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