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 Uniform resistive switching and highly stable synaptic characteristics of HfOx sandwiched TaOx-based memristor for neuromorphic system 用于神经形态系统的HfOx夹层TaOx忆阻器的均匀电阻开关和高稳定突触特性
相关领域
神经形态工程学
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期刊：Ceramics International 作者：Srikant Kumar Mohanty; Debashis Panda; K. Poshan Kumar Reddy; Po-Tsung Lee; Chien Hung Wu; et al 出版日期：2023-06-01 |
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