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 Enhanced Total Ionizing Dose Response of 16 nm n-FinFETs With a Single Fin 单鳍增强16 nm n-FinFETs的总电离剂量响应
相关领域
鳍
吸收剂量
电离辐射
材料科学
光电子学
晶体管
MOSFET
辐射
降级（电信）
场效应晶体管
辐照
物理
电子工程
电气工程
光学
工程类
电压
核物理学
复合材料
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期刊：IEEE electron device letters 作者：Xinhua Wei; Jiangwei Cui; Dong Luo; Guanzhen Yu; Yudong Li; et al 出版日期：2023-12-01 |
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