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 Enhanced robustness against hot-electron-induced degradation in active-passivation p-GaN gate HEMT 有源钝化p-GaN栅HEMT抗热电子诱导退化的鲁棒性增强
相关领域
钝化
高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
稳健性（进化）
降级（电信）
电介质
活动层
电子
晶体管
电子工程
纳米技术
化学
电气工程
图层（电子）
物理
工程类
电压
生物化学
基因
量子力学
薄膜晶体管
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| 其它 |
期刊：Applied Physics Letters 作者：Junjie Yang; Jin Wei; Yanlin Wu; Jingjing Yu; Jia Cui; et al 出版日期：2024-03-04 |
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