Point defects: key issues for II-oxides wide-bandgap semiconductors development

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标题	Point defects: key issues for II-oxides wide-bandgap semiconductors development 点缺陷：Ⅱ-氧化物宽带隙半导体发展的关键问题相关领域材料科学带隙光电子学半导体紫外线同质结氧化铍宽禁带半导体兴奋剂铍化学有机化学
网址	https://doi.org/10.7498/aps.68.20191043
DOI	10.7498/aps.68.20191043 doi
其它	期刊：Chinese Physics 作者：Xiuhua Xie; Binghui Li; Zhenzhong Zhang; Lei Liu; Kewei Liu; et al 出版日期：2019-01-01
求助人	丸子头嘟嘟嘟在 2024-03-22 21:16:45 发布自广东，悬赏 10 积分
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