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Demonstration of 651 nm InGaN-based red light-emitting diode with an external quantum efficiency over 6% by InGaN/AlN strain release interlayer
用InGaN/AlN应变释放夹层实现外部量子效率超过6%的651nm InGaN基红光二极管
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期刊:Optics Express 作者:Kun Xing; Junwei Hu; Zhengwei Pan; Zhen Xia; Jin Zhang; et al 出版日期:2024-03-01 |
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