Device characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors with ammonia incorporation

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标题	Device characteristics of amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors with ammonia incorporation 掺氨非晶铟镓锌薄膜晶体管的器件特性相关领域铟薄膜晶体管镓材料科学锌无定形固体氨晶体管光电子学无机化学纳米技术冶金化学电气工程图层（电子）结晶学工程类有机化学电压
网址	https://doi.org/10.1016/j.sse.2011.01.001
DOI	10.1016/j.sse.2011.01.001 doi
其它	期刊：Solid-state electronics 作者：Sheng-Yao Huang; Ting‐Chang Chang; Min-Chen Chen; Shu-Wei Tsao; Shih-Ching Chen; et al 出版日期：2011-07-01
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