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 Enhanced barrier seed metallization for integration of high-density high aspect-ratio copper-filled 3D through-silicon via interconnects 用于集成高密度高纵横比铜填充3D硅通孔互连的增强势垒籽晶金属化
相关领域
互连
材料科学
通过硅通孔
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光电子学
硅
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铜互连
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期刊： 作者：Yann Civale; Silvia Armini; Harold Philipsen; A. Redolfi; Dimitrios Velenis; et al 出版日期：2012-05-01 |
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