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 AlGaN/GaN HEMT grown on SiC with carbon doped GaN buffer by MOCVD 用MOCVD法在含碳GaN缓冲液的SiC上生长AlGaN/GaN HEMT
相关领域
材料科学
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期刊：2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM) 作者：Nethaji Dharmarasu; Giri. S. Karthikeyan; Manvi Agrawal; Seah Tian Long Alex; K. Radhakrishnan 出版日期：2019-06-07 |
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