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标题
Resistive Switching and Synaptic Characteristics in ZnO/TaON-Based RRAM for Neuromorphic System
基于ZnO/TaON的神经形态系统RRAM的电阻开关和突触特性
相关领域
神经形态工程学 材料科学 电阻随机存取存储器 光电子学 蛋白质丝 电导 非易失性存储器 图层（电子） 溅射 电阻式触摸屏 生产线后端 纳米技术 电压 薄膜 电气工程 复合材料 计算机科学 人工神经网络 组合数学 机器学习 工程类 数学
网址
https://www.mdpi.com/2079-4991/12/13/2185/pdf?version=165633...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov nih.govdoi.org
DOI
10.3390/nano12132185 doi
其它 期刊：Nanomaterials
作者：Inho Oh; Juyeong Pyo; Sungjun Kim
出版日期：2022-06-25
求助人
安静的小伙 在 2025-02-27 16:43:38 发布自中国，悬赏 10 积分
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