Gate oxide reliability assessment of a SiC MOSFET for high temperature aeronautic applications

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标题	Gate oxide reliability assessment of a SiC MOSFET for high temperature aeronautic applications 用于高温航空应用的SiC MOSFET栅极氧化物可靠性评估相关领域可靠性（半导体） MOSFET 碳化硅材料科学栅氧化层功率MOSFET 氧化物工程物理可靠性工程电气工程功率（物理）电子工程工程类晶体管电压复合材料冶金物理量子力学
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ECCE-Asia.2013.6579125
DOI	10.1109/ECCE-Asia.2013.6579125 doi
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