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 Dual-layer volatile memristor with ultralow voltage slope 具有超低电压斜率的双层易失性忆阻器
相关领域
记忆电阻器
图层（电子）
材料科学
光电子学
电压
非易失性存储器
双层
纳米技术
电气工程
工程类
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Pengtao Li; Z. G. Wang; Shengpeng Xing; Zhen Wang; Wentai Xia; et al 出版日期：2024-03-04 |
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