Deep Sub-Micron Self-Aligned Bottom-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With Low-Resistance Source/Drain

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标题	Deep Sub-Micron Self-Aligned Bottom-Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors With Low-Resistance Source/Drain 低阻源/漏极深亚微米自对准底栅非晶InGaZnO薄膜晶体管相关领域薄膜晶体管无定形固体材料科学电气工程光电子学算法物理数学纳米技术结晶学化学工程类图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/led.2023.3287865
DOI	10.1109/led.2023.3287865 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yuhan Zhang; Jiye Li; Yuqing Zhang; Huan Yang; Yuhang Guan; et al 出版日期：2023-06-20
求助人	特辣番茄锅在 2024-11-21 13:40:21 发布自山西，悬赏 10 积分
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