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 Improved resistive switching performance and mechanism analysis of MoO3 nanorods based memristors MoO3纳米棒忆阻器电阻开关性能的改善及机理分析
相关领域
记忆电阻器
材料科学
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期刊：Materials today communications 作者：Jiajia Qin; Bai Sun; Shuangsuo Mao; Yusheng Yang; Mingnan Liu; et al 出版日期：2023-08-01 |
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