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 Influence of indium tin oxide residues on the electrical performance of hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors in the backplane of active-matrix displays 有源矩阵显示器背板中氧化铟锡残留物对氢化非晶硅薄膜晶体管电学性能的影响
相关领域
材料科学
薄膜晶体管
有源矩阵
氧化铟锡
光电子学
氧化物薄膜晶体管
蚀刻（微加工）
晶体管
无定形固体
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背板
氧化物
铟
薄膜
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期刊：Journal of Materials Chemistry C 作者：Xiang Yu; Zhiqiang Zhang; Jingxuan Pei; Jing Zhang; Rabah Boukherroub 出版日期：2022-01-01 |
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