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 Improved β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes Featuring p-NiO Gradual Junction Termination Extension within Mesa Structure 改进的β-Ga2O3肖特基势垒二极管，其特征在于台面结构内p-NiO逐渐结终止延伸
相关领域
光电子学
非阻塞I/O
材料科学
肖特基势垒
二极管
梅萨
金属半导体结
肖特基二极管
化学
计算机科学
生物化学
程序设计语言
催化作用
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期刊： 作者：Zhao Han; Weibing Hao; Jinyang Liu; Guangwei Xu; Qin Hu; et al 出版日期：2024-06-02 |
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