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 3300V-Class 4H SiC Implantation-Epitaxial Mosfets with Low Specific On-Resistance of 11.6mΩcm<sup>2</sup> and High Avalanche Withstanding Capability 3300V级4H SiC注入外延MOSFET，具有11.6 M Ω cm2的低比导通电阻和高雪崩耐受能力
相关领域
JFET公司
材料科学
光电子学
MOSFET
外延
击穿电压
高压
电压
电气工程
纳米技术
场效应晶体管
晶体管
图层（电子）
工程类
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期刊：Materials Science Forum 作者：Takashi Tsuji; Hiromu Shiomi; Naoyuki Ohse; Yasuhiko Onishi; Kenji Fukuda 出版日期：2016-05-25 |
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