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Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
用自由基增强金属有机化学气相沉积在低温下以高生长速率外延生长高质量GaN
相关领域
金属有机气相外延
三甲基镓
化学气相沉积
氮化镓
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氮化物
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增长率
化学
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期刊:Scientific Reports 作者:D. Arun Kumar; Frank Wilson Amalraj; Swathy Jayaprasad; Naohiro Shimizu; Osamu Oda; et al 出版日期:2024-05-13 |
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