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 First Demonstration of Dual-Gate IGZO 2T0C DRAM with Novel Read Operation, One Bit Line in Single Cell, ION=1500 μA/μm@VDS=1V and Retention Time>300s 首次演示具有新颖读取操作的双栅IGZO 2T0C DRAM，单单元一位线，离子=1500 μ A/μ m@VDS=1V，保留时间>300s
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期刊： 作者：Wendong Lu; Zheng-Yong Zhu; Kaifei Chen; Menggan Liu; Bok-Moon Kang; et al 出版日期：2022-12-03 |
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