Deep level characteristics in n-GaN with inductively coupled plasma damage

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标题	Deep level characteristics in n-GaN with inductively coupled plasma damage 电感耦合等离子体损伤n-GaN的深能级特性相关领域感应耦合等离子体等离子体材料科学核工程化学物理工程类核物理学
网址	https://doi.org/10.1088/0022-3727/41/15/155314
DOI	10.1088/0022-3727/41/15/155314 doi
其它	期刊：Journal of Physics D 作者：H. K. Cho; Farid Khan; I. Adesida; Zhijia Fang; David C. Look 出版日期：2008-07-18
求助人	hehe 在 2024-10-23 09:58:46 发布自广东，悬赏 10 积分
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