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 Exceptional Immunity of Drain-Induced Barrier Lowering Effect in a-IGZTO Transistors via Favorable Coupling Effects of Metal-H Bonding 通过金属-H键的良好耦合效应在a-IGZTO晶体管中漏极诱导势垒降低效应的特殊抗扰度
相关领域
材料科学
联轴节（管道）
金属
晶体管
光电子学
场效应晶体管
电气工程
电压
复合材料
工程类
冶金
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Gwang‐Bok Kim; Se Eun Kim; Yena Kim; Kyeong-Seok Son; Joon Seok Park; et al 出版日期：2024-01-01 |
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