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 Evaluation of Space Radiation Effects on FinFET oxide layer with Geant4 Simulation 用Geant4模拟评估空间辐射对FinFET氧化层的影响
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Jianyu Zhang; Hua Yang; Sichong Huang; Tongde Li; Liang Wang; et al 出版日期：2024-12-01 |
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