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A novel high-performance trench lateral double-diffused MOSFET with buried oxide bump layer 一种新型高性能沟槽横向双扩散MOSFET
相关领域
LDMOS
击穿电压
沟槽
材料科学
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MOSFET
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期刊:Microelectronics Journal 作者:Hujun Jia; Yangyi Shen; Huan Wang; Xiaojie Wang; Yunfan Zhang; et al 出版日期:2023-08-08 |
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