Eliminating spacer-induced degradations in LDD transistors

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标题	专利、报告等 Eliminating spacer-induced degradations in LDD transistors
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	T. Y. Huang, M. Koyanagi, A. G. Lewis, R. A. Martin, and J. Y. Chen, “Eliminating spacer-induced degradations in LDD transistors,” in Proc. I987 Znt. Symp. VLSZ Technology, System, and Application (Taipei), p. 260.
求助人	compell2022 在 2022-12-20 11:37:10 发布自北京，悬赏 10 积分
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