Heterogeneous complementary field-effect transistors based on silicon and molybdenum disulfide

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标题	Heterogeneous complementary field-effect transistors based on silicon and molybdenum disulfide 相关领域二硫化钼材料科学晶体管硅光电子学绝缘体上的硅场效应晶体管薄脆饼电压纳米技术电气工程工程类冶金
网址	https://doi.org/10.1038/s41928-022-00881-0
DOI	10.1038/s41928-022-00881-0 doi
其它	期刊：Nature Electronics 作者：Ling Tong; Jing Wan; Kai Xiao; Jian Liu; Jingyi Ma; et al 出版日期：2022
求助人	malk 在 2022-12-09 08:23:43 发布自湖南，悬赏 10 积分
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