标题 |
Investigation of defect formation in porous ultra low k film (k=2.5) for 28nm technological node
相关领域
材料科学
电介质
低介电常数
扫描电子显微镜
生产线后端
透射电子显微镜
CMOS芯片
光电子学
纳米技术
多孔性
制作
硅
复合材料
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DOI | |
其它 |
期刊:Microelectronic Engineering 作者:Zhou Ming; Deng Hao; Zhang Beichao 出版日期:2015-06-01 |
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