标题 |
ALD Options for Si-integrated Ultrahigh-density Decoupling Capacitors in Pore and Trench Designs
相关领域
材料科学
电容器
沟槽
光电子学
德拉姆
电介质
高-κ电介质
电容
解耦(概率)
堆栈(抽象数据类型)
硅
原子层沉积
泄漏(经济)
陶瓷电容器
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其它 |
期刊:ECS Transactions 作者:F. Roozeboom; Johan Klootwijk; Jan Verhoeven; Eric van den Heuvel; Wouter Dekkers; et al 出版日期:2007-07-19 |
求助人 |
ShujunOvO 在
2022-05-12 10:28:36 发布,悬赏 10 积分
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