标题 |
Thin-barrier gated-edge termination AlGaN/GaN Schottky barrier diode with low reverse leakage and high turn-on uniformity
相关领域
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二极管
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泄漏(经济)
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计算机科学
宏观经济学
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其它 |
期刊:Semiconductor Science and Technology 作者:Xuanwu Kang; Yingkui Zheng; Hao Wu; Ke Wei; Yue Sun; et al 出版日期:2021 |
求助人 |
PAL81048 在
2021-08-21 09:25:41 发布,悬赏 10 积分
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