标题 |
A new approach to achieving strong ferroelectric properties in TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN devices
实现TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN器件强铁电性能的新途径
相关领域
氧化锡
电介质
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DOI | |
其它 |
期刊:Nanotechnology 作者:Hyungwoo Kim; Alireza Kashir; Seungyeol Oh; Hyunsang Hwang 出版日期:2020 |
求助人 |
褚海 在
2021-08-12 15:49:37 发布,悬赏 10 积分
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