| 标题 |
 Improvement of the Charge Retention of a Non-Volatile Memory by a Bandgap-Engineered Charge Trap Layer 相关领域
材料科学
非易失性存储器
光电子学
存水弯（水管）
图层（电子）
电荷（物理）
电介质
高-κ电介质
电子
薄膜晶体管
彭宁离子阱
纳米技术
量子力学
环境工程
物理
工程类
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| 其它 |
期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Ziyang Cui; Dongxu Xin; Taeyong Kim; Jiwon Choi; Jaewoong Cho; Junsin Yi 出版日期：2021 |
| 求助人 |
huyifan
在
2022-06-08 16:59:37 发布，悬赏 10 积分
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