Mechanism Analysis and Highly Scaled Aluminum Nitride‐Based Self‐Rectifying Memristors

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标题	Mechanism Analysis and Highly Scaled Aluminum Nitride‐Based Self‐Rectifying Memristors 高尺度氮化铝基自整流忆阻器的机理分析与研究相关领域记忆电阻器材料科学神经形态工程学整改可扩展性光电子学纳米技术氮化物电阻随机存取存储器锡电子工程计算机科学图层（电子）电气工程人工神经网络工程类电压机器学习冶金数据库
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202200702
DOI	10.1002/aelm.202200702 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Kailiang Zhang; Xuanyu Zhao; Yemei Han; Kai Hu; Yujian Zhang; et al 出版日期：2022-08-28
求助人	NII 在 2024-10-12 16:25:53 发布自天津，悬赏 10 积分
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