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 Self-rectifying memristors with high rectification ratio and dynamic linearity for in-memory computing 10.1063/5.0225833
相关领域
整改
记忆电阻器
线性
材料科学
光电子学
计算机科学
纳米技术
电气工程
工程类
电压
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Guobin Zhang; Z. G. Wang; Xuemeng Fan; Zhen Wang; Pengtao Li; et al 出版日期：2024-09-23 |
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