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Improved Resistive Switching Uniformity of SiO2 Electrolyte-Based Resistive Random Access Memory Device With Cu Oxidizable Electrode
具有Cu可氧化电极的SiO2电解质基电阻随机存取存储器件改进的电阻开关均匀性
相关领域
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Yingtao Li; Lujie Yin; Zewei Wu; Xiaoyan Li; Xiaoqiang Song; et al 出版日期:2019-08-09 |
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