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 Effects of electric polarization and defect energy levels induced by ion irradiation on the electrical behavior of 4H-SiC Schottky barrier diodes 离子辐照诱导的电极化和缺陷能级对4H-SiC肖特基势垒二极管电学行为的影响
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Yinan Tian; Ronghua Li; Jian Li; Haixia Li; Xuefeng Zheng; et al 出版日期：2023-05-12 |
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