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An improved carrier rate model to evaluate internal quantum efficiency and analyze efficiency droop origin of InGaN based light-emitting diodes
InGaN基发光二极管内部量子效率评估和效率下降原因的改进载流子速率模型
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Jiaxing Wang; Lai Wang; Lei Wang; Zhibiao Hao; Yi Luo; et al 出版日期:2012-07-15 |
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