Intrinsic field-effect mobility in thin-film transistor with polycrystalline In2O3 channel based on transfer length method

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标题	Intrinsic field-effect mobility in thin-film transistor with polycrystalline In2O3 channel based on transfer length method 基于转移长度法的多晶In2O3沟道薄膜晶体管本征场效应迁移率
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ada19e
DOI	10.35848/1882-0786/ada19e doi
其它	期刊：Applied Physics Express 作者：Takanori Takahashi; Yukiharu Uraoka 出版日期：2024-12-20
求助人	顺心的元芹在 2025-02-17 16:56:21 发布自山东，悬赏 10 积分
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